
UNI650
메모리 반도체의 후공정을 진행하기 전 Wafer 상태에서의 전기적인 성능을 검사하는 장비이며, Wafer의 Speed, Data read/Write/Erase, Repair등의 성능을 검사하는 장비입니다.
Test Device | DRAM, PCRAM |
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Parallelism | 3,072 |
Test Rate | 222MHz |
Current | 1A(3V) |
Dimension (W x D x H, mm) |
Main Frame : 1,500 x 1,000 x 1,900
Test Head: 940 x 1,490 x 984 |
Operating System | Linux |

UNI610
메모리 반도체의 후공정을 진행하기 전 Wafer 상태에서의 전기적인 성능을 검사하는 장비이며, Wafer의 Speed, Data read/Write/Erase, Repair등의 성능을 검사하는 장비입니다.
Test Device | NAND Flash |
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Parallelism | 1,024 |
Test Rate | 50MHz |
Current | 400mA(5V) |
Dimension (W x D x H, mm) |
Main Frame : 1,000 x 800 x 1,688
Test Head : 600 x 750 x 800 |
Operating System | Linux |